20世纪中叶,单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功,导致了电子工业革命;20世纪70年代初,石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明,促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业,使人类进入了信息时代;超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功,彻底改变了光电器件的设计思想,使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。所以半导体的发明和应用使人类进入完全崭新的信息世纪。

在我国的半导体材料领域,有一位女性科学家,无人不知,她被称为我国半导体材料先驱,她就是林兰英。林兰英1918年出生于福建莆田,1948年赴美国留学,并以优异的成绩完成了相关学业。在当时,固体物理学是刚兴起的学科,它使科学家发现了处于半导电状态的半导体,将给工业界带来广泛的应用前景。为此,林兰英改变了学科,从头学起,并于1955年成为美国宾西法尼亚大学200年来第一位女博士。

1957年春,林兰英谢绝了美国公司的高薪挽留,毅然踏上了归国的路途。作为我国半导体材料最著名的开拓者,在林兰英等人的带领下,中国科研工作者自力更生,不断取得半导体硅材料的研究成果,为我国在1960年全面开展半导体硅器件的研制创造了先决条件。

五十年代,林兰英在中国科学院应用物理研究所和半导体研究所工作期间,尽管设备条件不尽人意,但她与同事们不畏艰辛,很快便取得了优异的成绩。回国半年之后,即拉制出我国第一根锗单晶。北京电子管厂用这些锗单晶,制造出我国第一次向市场销售的半导体收音机。

之后,林兰英更是带动同事一起创造了多个“新中国的第一”: 1957年研制成第一根锗单晶,1958年研制成第一根硅单晶……80年代,她开创性地提出在太空微重力条件下拉制砷化镓的设想。1987年,我国成功利用卫星拉制成太空砷化镓单晶,居国际领先地位,受到全世界科学家关注,她也因此赢得了“太空材料之母”的桂冠,为祖国赢得殊荣。

2003年,林兰英与世长辞,但她赤诚的爱国精神却将永远芳留人间,并以坚强的意志和出色的智慧谱写了一曲中国女性的奋斗之歌。

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我国半导体材料的开拓者——林兰英

图文简介

在我国的半导体材料领域,有一位女性科学家,无人不知,她被称为我国半导体材料先驱,她就是林兰英。