威廉·肖克利

 

1910年2月13日，被称为“晶体管之父”的威廉·肖克利（William Shockley）出生于英国伦敦。

他3岁随父母举家迁往美国加州。从事矿业的父母从小向他灌输科学，加上中学教师斯拉特的熏陶，他考入了加州理工学院，后进入麻省理工(MIT)获得固体物理学博士学位。1936-1955年，担任贝尔实验室晶体管物理部主任，主要负责技术工作。1955－1963年，在硅谷创办肖克利半导体实验室。1963年开始，担任斯坦福大学工程科学教授。

二战结束后，贝尔实验室开始研制新一代的电子管，具体由肖克利负责。1947年圣诞节前两天的一个中午，肖克利的两位同事沃尔特·布莱登（Walter Brattain）和约翰·巴丁（John Bardeen），用几条金箔片，一片半导体材料和一个弯纸架制成一个小模型，可以传导、放大和开关电流。他们把这一发明称为“点接晶体管放大器”（Point-Contact Transistor Amplifier）。1951年，他领导研究小组研制出第一个可靠的结型晶体管。晶体管具有很大的潜力，它与电子管不同，不需要预热时间，不会产生热量，不会烧坏，也不会漏气和爆裂。晶体管比电子管更快、更小，为小型计算机奠定了基础。这个用来代替真空管的电子信号放大元件，成为电子工业的强大引擎，被媒体和科学界称为“20世纪最重要的发明”。

肖克利一生获得了90多项发明专利。因对半导体的研究和发现了晶体管效应，肖克利与巴丁和布拉顿分享了1956年度的诺贝尔物理学奖。

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1910年2月13日 晶体管发明人肖克利诞生

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图文简介

1910年2月13日，被称为“晶体管之父”的威廉·肖克利（William Shockley）出生于英国伦敦。