半导体发展历程：

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。1833年，英国的巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属。一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

1839年，法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应。这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。

1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

半导体的这四个效应虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。同时半导体这四个特性的具体应用直到1947年12月由贝尔实验室操作完成。

晶体管发展历程：

20世纪最初的10年，通信系统已开始应用半导体材料。20世纪上半叶，在无线电爱好者中广泛流行的矿石收音机，就采用矿石这种半导体材料进行检波。半导体的电学特性也在电话系统中得到了应用。

1947年12月，贝尔试验室的3 名科学家共同发明了晶体管，与此同时包括大规模集成电路在内的全球性产业也由此诞生，自此开辟了现代电子时代。 由于在纽约的电子管市场不够大，也不够成熟，难以满足日新月异的技术需求，西方电子决定在1946年将公司业务扩展到宾西法尼亚州，并于1947年的晚些时候正式投入量产。当第一条晶体管生产线于1951年建成后，一场从电子管技术到固态技术的再培训计划也随之开始。1952年晶体管首次成功应用于电话网络。

1947年12月，美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。晶体管的问世，是20世纪的一项重大发明，是微电子革命的先声。晶体管出现后，人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件，来代替体积大、功率消耗大的电子管了。晶体管的发明又为后来集成电路的诞生奠定了基础。

随着半导体技术的不断发展，晶体管的运行速度更快，可靠性更高，成本也更低。1959 年，随着能够将大量的晶体管及其它电子器件集成到一块硅片上的集成电路的发明，晶体管取得了新的突破。

集成电路发展历程：

集成电路是一种微型电子器件，其中电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线通过一定工艺互相连接在一起，使所有元件构成一个整体。集成电路的整体性使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。

集成电路是20世纪50年代后期至60年代发展起来的一种新型半导体器件。目前半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成的电子器件。集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克•基尔比和罗伯特•诺伊思。

参考资料:

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