化学刻花是用化学药品腐蚀没有进行保护的部分材料，以加工出所需的形状、尺寸和花纹表面粗化的方法，也称化学刻蚀。如用无机药品把金属、玻璃、塑料表面打毛；将印刷辊、压花辊等的表面腐蚀出所需花纹；用有机溶剂处理塑料表面，使之形成霜状毛面等。

先擦去铁器表面的铁锈，再用去污粉擦拭洗净，用干布擦干水迹。然后在铁器表面均匀地涂一薄层石蜡，并用小刀在石蜡层上刻出所需要的花样图案或字迹，使铁质露出。在刻花(字)的部分滴加浓盐酸，开始时反应迅猛，待反应缓慢后用水冲去酸液，再重新滴加浓盐酸，使之与露出部分进行反应。如此重复操作四、五次，最后将铁器浸于沸水中，除去石蜡层，在铁器上就显出凹痕的花样图案或字迹。如果希望凹痕深一些，那末滴加盐酸的次数就多几次。1

用去污粉擦去铜器外表的锈迹或油污，涂上一层均匀的石蜡，用小刀在石蜡层上刻下所要的花样图案或字迹，使铜质露出。然后在图案或字迹处滴加浓硝酸，开始时反应剧烈，待反应缓慢后倒去废酸，用水冲洗，再滴加浓硝酸。重复操作四、五次后，将铜器浸于沸水中，除去石蜡层后铜器上就现出了凹型的图形。1

用毛笔蘸取5%的硫酸在木器上画花或写字，晾干后把木器放在火上烘烤一段时间，用水洗净，在木器上就得到黑色的花样或字迹。其原理是：硫酸在加热条件下成为浓硫酸，它具有强烈妁脱水作用，使纤维素打失水而成为碳呈现黑色。洗去多余的硫酸，在木器上就得到黑色的字或花。2

玻璃器皿刻花(字)有两种方法。

一种是氢氟酸法：用去污粉将玻璃器皿洗净、擦干，然后用毛笔或热敷法在表面涂上一层均匀的石蜡层。用小刀在石蜡层上刻花或刻字，使玻璃露出。用毛笔蘸取氢氟酸涂在花(字)迹上。经3-5分钟后，用吸水纸吸干剩余的酸液，再涂氢氟酸。如此重复操作四、五次，最后用小刀或浸入沸水的办法除去石蟮层，凹型的花(字)痕迹即可出现。

第二种方法是氟化氢法：将要刻花(字)的玻璃器皿洗净、擦干，涂上石蜡层并用小刀在石蜡层上刻出花或字迹。在铝的表面皿中盛放氟化钠(NaF)或氟化钙(CaF2)1克、浓硫酸1至2毫升，放在石棉网上加热。把刻有花(字)的玻璃器皿放在铝表面皿上(字迹朝下)，使反应产生的HF气体与玻璃器皿的露出部分接触。加热10分钟后取下玻璃器皿，用小刀或浸入沸水的方法除去石蜡层，凹型的花(字)即显出。2

1)硅表面刻花

在X射线光刻和LIGA技术中，都用湿法显影，往往会因光刻胶的膨胀造成图形损失，因此发展了干法工艺，即在硅片上涂上一层均匀的光刻胶后，再涂上一表面成像膜。表面成像膜在同步辐射X射线照射下发生光化学反应而会挥发掉，因掩模阻挡不受X射线照射的区域的表面成像膜仍保留着。在接下来的含氧反应离子刻蚀光刻胶过程中有机硅烷成像膜会变成SiO2，可有效地保护光刻胶，然后对硅片进行选择性刻蚀。

2)碳化硅表面刻花

碳化硅有很高的机械强度和化学稳定性，对其进行微加工十分困难。同步辐射光化学反应刻蚀是一种有潜力的途径。将有碳化硅外延层的硅片放于真空度为1.333×10-5Pa的反应器内，通入Ar和SF6，用2.45GHz微波放电激发反应气体，未观测到碳化硅有刻蚀作用。如果用1011～1012ph/(s·cm2)的100～500eV能量范围的同步辐射照射区，就有明显的刻蚀作用，其刻蚀速率随SF6的分压增加而提高。如果分别改用单色的85、110和130eV同步辐射照射，碳化硅的归一化刻蚀速率随照射光的能量增加而变快，这主要是碳化硅中硅原子对此波长的同步辐射有较大的吸收截面。3

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