亚阈值电流是在MOS管理想的电流-电压特性中,当Vgs小于 Vt 时,漏极电流 Id 为0。
概述亚阈值电流,或称亚阈值漏电流(英语:subthreshold leakage),是金属氧化物半导体场效应管栅极电压低于晶体管线性导通所需的阈值电压、处于截止区(或称亚阈值状态)时,源极和漏极之间的微量漏电流。1
定义在MOS管理想的电流-电压特性中,当Vgs小于 Vt 时,漏极电流 Id 为0。而实际情况是,当Vg
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亚阈值电流是在MOS管理想的电流-电压特性中,当Vgs小于 Vt 时,漏极电流 Id 为0。
概述亚阈值电流,或称亚阈值漏电流(英语:subthreshold leakage),是金属氧化物半导体场效应管栅极电压低于晶体管线性导通所需的阈值电压、处于截止区(或称亚阈值状态)时,源极和漏极之间的微量漏电流。1
定义在MOS管理想的电流-电压特性中,当Vgs小于 Vt 时,漏极电流 Id 为0。而实际情况是,当Vg